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                瑞芯微推出全新通用快充協(xié)議芯片RK835及RK837

                2021-04-21

                        VOOC閃充協(xié)議芯片之后,瑞芯微近日推出了兩顆全新的通用快充協(xié)議芯片,分別是RK835RK837。 

                RK835通用快充協(xié)議芯片

                        瑞芯微RK835是通過了PD2.0/PD3.0/PPS認(rèn)證的PD3.0協(xié)議芯片,TID4325。用于電源角色的USB Type-CPD物理層,并且支持E-Marker線纜供電,在超低功耗模式下,芯片耗電量低于10μARK835內(nèi)部集成Arm Cortex-M0內(nèi)核,60K Flash1K RAM來實(shí)現(xiàn)PD和其他專有協(xié)議,可支持10萬次以上的重復(fù)燒錄。RK835具備以下特性:

                ·      內(nèi)部集成的ADC可以連續(xù)地檢測電壓,電流,溫度和通過GPIO引腳反饋的系統(tǒng)參數(shù)

                ·      所有的GPIO均可配置成邊緣觸發(fā)中斷,DP/DM引腳可配置UART模式和BC1.2模式

                ·      支持I2C接口和主從模式,內(nèi)部集成了輸出放電功能

                ·      DP/DM/CC1/CC2引腳均支持24V耐壓,可有效防止損壞的數(shù)據(jù)線造成產(chǎn)品損壞,并內(nèi)置了過流、過壓和過熱保護(hù)

                < 圖為RK835+AC-DC典型應(yīng)用電路 >

                 

                        RK835支持18100W輸出,支持光耦反饋和PII2C接口的電源IC,采用QFN3*3-16封裝。

                 

                RK837通用快充協(xié)議芯片:支持恒壓恒流

                        瑞芯微RK837是通過了PD2.0/PD3.0/PPS認(rèn)證的PD3.0協(xié)議芯片,TID5141。同時,也通過高通QC4+認(rèn)證,證書編號20210303222。RK837內(nèi)部集成ARM Cortex-M0內(nèi)核,64K Flash2K RAM來實(shí)現(xiàn)PD和其他專有協(xié)議,可以支持10萬次以上的重復(fù)燒錄。具備以下特性:


                ·      支持USB Type-CType-A雙接口,支持I2C接口

                ·      集成NMOS驅(qū)動,VBUS開關(guān)管可使用低成本性能好的NMOS,內(nèi)部集成快速放電電路

                ·      內(nèi)部集成高精度ADC,可實(shí)現(xiàn)3-22V10mV精度輸出,使用5mΩ取樣電阻,可實(shí)現(xiàn)0.1-12A12mA精度恒流

                ·      DP/DM/CC1/CC2引腳均支持26V耐壓,可有效防止損壞的數(shù)據(jù)線造成產(chǎn)品損壞,芯片還內(nèi)置了過流、過壓和過熱保護(hù)

                < 圖為RK837應(yīng)用電路,支持1A1C輸出,采用QFN4*4-24封裝>

                        瑞芯微的兩款通用快充協(xié)議芯片,均采用了Arm Cortex-M0核心和大容量Flash,可以支持10萬次以上的重復(fù)燒錄,方便客戶根據(jù)產(chǎn)品更換協(xié)議;均具備數(shù)字I2C接口,支持豐富的主流快充協(xié)議,能夠快速便捷的與各類電源芯片對接。同時具備完善的保護(hù)功能,引腳支持過壓保護(hù),芯片內(nèi)部支持完善的保護(hù)功能,可實(shí)現(xiàn)簡單可靠的適配器設(shè)計(jì)。

                 

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